IGBT ใหม่ของฟูจิ (Insulated Gate Bipolar Transistor) และอินเวอร์เตอร์ที่เกี่ยวข้องสามารถจ่ายไฟประสิทธิภาพสูงได้ดังนี้

  • ประหยัดพลังงานประมาณ 3%
  • 50% ของการประหยัดพื้นที่สำหรับส่วนหน่วยกำลัง
  • รักษาตัวประกอบกำลัง 0.98 หรือมากกว่า → ประหยัดความจุของหม้อแปลงไฟฟ้าโดย 20%
  • ลดฮาร์โมนิกด้วยวงจรเรียงกระแสแบบหลายพัลส์ → ยกเลิกตัวกรองฮาร์มอนิก
  • ความเร็วในการหลอมเหลวเพิ่มขึ้น (โดย 6%) → ลดกำลังไฟพิกัดโดย 15%