Fuji ၏ IGBT အသစ် (Insulated Gate Bipolar Transistor) နှင့် ဆက်စပ် အင်ဗာတာများသည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပါဝါထောက်ပံ့မှုကို အောက်ပါအတိုင်း ရရှိနိုင်ပါသည်။

  • 3% လောက်မှာ စွမ်းအင်ချွေတာပါတယ်။
  • ပါဝါယူနစ်အပိုင်းအတွက် နေရာချွေတာမှု 50%
  • ပါဝါအချက် 0.98 သို့မဟုတ် ထို့ထက်ပို၍ ထိန်းသိမ်းပါ → 20% တွင် ထရန်စဖော်မာစွမ်းရည်ကို သိမ်းဆည်းပါ။
  • Multi-pulsed rectifiers → ဟာမိုနီ စစ်ထုတ်မှု ပယ်ဖျက်ခြင်းဖြင့် ဟာမိုနီများကို လျှော့ချပါ။
  • အရည်ပျော်မှုအရှိန်မြှင့် (6% ဖြင့်) → အဆင့်သတ်မှတ်ပါဝါ 15% လျှော့ချပါ။

Induction Furnaces - FUJI လျှပ်စစ်